NJK-5002P霍爾接近開關
霍爾接近開關當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時，薄片的兩端就會產生電位差，這種現象就稱為霍爾效應。兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U，其表達式為U=K·I·B/d，其中K為霍爾系數，I為薄片中通過的電流，B為外加磁場，洛倫慈力Lorrentz的磁感應強度，d是薄片的厚度。
由此可見，霍爾效應的靈敏度高低與外加磁場的磁感應強度成正比的關系。霍爾元件就屬于這種有源磁電轉換器件，是一種磁敏元件。它是在霍爾效應原理的基礎上，利用集成封裝和組裝工藝制作而成，它可方便的把磁輸入信號轉換成實際應用中的電信號，同時又具備工業場合實際應用易操作和可靠性的要求。霍爾開關就是利用霍爾元件的這一特性制作的，它的輸入端是以磁感應強度B來表征的，當B值達到一定的程度時，霍爾開關內部的觸發器翻轉，霍爾開關的輸出電平狀態也隨之翻轉。輸出端一般采用晶體管輸出，和其他傳感器類似有NPN、PNP、常開型、常閉型、鎖存型雙極性、雙信號輸出之分。霍爾開關具有無觸點、低功耗、長使用壽命、響應頻率高等特點，內部采用環氧樹脂封灌成一體化，所以能在各類惡劣環境下可靠的工作
當磁性物件移近霍爾開關時，開關檢測面上的霍爾元件因產生霍爾效應而使開關內部電路狀態發生變化，由此識別附近有磁性物體存在，進而控制開關的通或斷。這種接近開關的檢測對象必須是磁性物體。
霍爾開關的工作原理及應用范圍
霍爾集成電路是霍爾元件與電子線路一體化的產品，它是由霍爾元件、放大器、溫度補償電路和穩壓電路利用集成電路工藝技術制成的。它能感知一切與磁有關的物理量，又能輸出相關的電控信息，所以霍爾集成電路既是一種集成電路，又是一種磁敏傳感器，它一般采用DIP或扁平封裝。
霍爾集成電路的原理
當將一塊通電的半導體薄片垂直置于磁場中時，薄片兩側由此會產生電位差，此現象稱為霍爾效應。此電位差稱為霍爾電勢，電勢的大小E=KIB/d，式中K是霍爾系數，d為薄片的厚度，I為電流，B為磁感應強度。圖1示出霍爾效應的原理：在三維空間內，霍爾半導體平板在XOY平面內，它與磁場方向垂直，磁場指向Y軸的方向，沿X軸方向通以電流I，由于運動的電荷與磁場的相互作用，結果在Z軸方向上產生了霍爾電勢E，一般其值可達幾十毫伏。為此，將霍爾元件與電子線路集成在一塊約2mm*2mm的硅基片上，就做成了溫度穩定性好、可靠性高的霍爾集成電路。
