HKD-7C接近開(kāi)關(guān)高頻化
一、簡(jiǎn)介
接近開(kāi)關(guān)HKD-7C提升電控設(shè)備專門用于檢測(cè)金屬物體。
電感式接近傳感器本質(zhì)上由振蕩器組成，線圈組成了檢測(cè)面，交變磁場(chǎng)在線圈周圍產(chǎn)生。
當(dāng)一個(gè)金屬物體處于傳感器產(chǎn)生的磁場(chǎng)內(nèi)，感應(yīng)電流形成一個(gè)附加磁場(chǎng)，阻止線圈磁場(chǎng)交變，振蕩停止。這引起輸出驅(qū)動(dòng)器動(dòng)作，按傳感器類型，產(chǎn)生一個(gè)常開(kāi)(NO)或常閉(NC)的輸出信號(hào)
電感式接近檢測(cè)電感式接近傳感器可以在不接觸金屬物體的情況下進(jìn)行檢測(cè)。它們的應(yīng)用范圍很廣泛，包括：
機(jī)器零件的監(jiān)控(凸輪、停止，等等。)
監(jiān)控金屬物體移動(dòng)，計(jì)數(shù)，等等。
感應(yīng)檢測(cè)的優(yōu)點(diǎn)不需要直接接觸被檢測(cè)物體，因此可防止磨損并且可以檢測(cè)易碎和剛被涂色的對(duì)象。
工作效率高，快速響應(yīng)。
較強(qiáng)的耐工業(yè)環(huán)境性能(堅(jiān)固的產(chǎn)品完全封裝在樹(shù)脂中)。
固態(tài)技術(shù)：沒(méi)有活動(dòng)部分，因此傳感器的使用壽命與操作循環(huán)次數(shù)無(wú)關(guān)。
接近開(kāi)關(guān)技術(shù)發(fā)展飛快，接近開(kāi)關(guān)的新技術(shù)不斷涌現(xiàn)，使新型接近開(kāi)關(guān)更加小型化、高頻化、高效化，滿足了不同電子設(shè)備的需要。決定接近開(kāi)關(guān)體積的主要因素是電感、變壓器等磁性器件和平滑電容器。
二、接近開(kāi)關(guān)超小型化技術(shù)的主要措施有:
1、改善元器件本身的性能。目前，供接近開(kāi)關(guān)使用的元器件獲得長(zhǎng)足的發(fā)展，一大批新器件、新材料正被廣泛采用。
2、應(yīng)用組件化技術(shù)。所謂組件化技術(shù)，就是預(yù)先將電源中所需使用的DC-DC變換器、用于諧波電流抑制的功率因數(shù)改善電路、整流平滑電路以及靜噪濾波電路等部分分別制成微型或薄型組件，再根據(jù)用戶需要制作半成品電源，或根據(jù)用戶要求，和交流/直流前端電路配合，構(gòu)成適應(yīng)大功率輸出或多路輸出等用途的系統(tǒng)電源。隨著表面貼裝元器件(SMD)和表面貼裝技術(shù)(SMT)的進(jìn)一步發(fā)展，組件的裝連密度會(huì)更加提高，體積會(huì)進(jìn)一步縮小，電源也會(huì)隨之更加小型化。
3、采用軟接近開(kāi)關(guān)方式。減小元器件體積另一個(gè)重要途徑就是提高接近開(kāi)關(guān)的工作頻率。但 PWM變換器接近開(kāi)關(guān)頻率提高時(shí)，不但有磁損耗，而且電路的損耗也會(huì)增大。PWM變換器接近開(kāi)關(guān)損失較大的原因主要是由于接近開(kāi)關(guān)器件的通斷都是強(qiáng)制性的。理想情況下，接近開(kāi)關(guān)器件的電壓、電流波形都是方波。但是，由于接近開(kāi)關(guān)器件又是非理想的，即開(kāi)和關(guān)不能瞬時(shí)完成，都需要一定的時(shí)間，接近開(kāi)關(guān)器件及與之相連接的元件都可能有些寄生參數(shù)而使接近開(kāi)關(guān)器件的電壓、電流波形不是方波。因此，在接近開(kāi)關(guān)過(guò)程中，產(chǎn)生了接近開(kāi)關(guān)器件的電壓、電流波形交登現(xiàn)象，從而產(chǎn)生了接近開(kāi)關(guān)損失。顯然，隨著頻率的增加，接近開(kāi)關(guān)損失在全部損失中所占比例也增加。當(dāng)頻率高到某一數(shù)值時(shí)，變換器效率會(huì)降低到不能允許的程度。采用軟接近開(kāi)關(guān)方式可以有效地降低伴隨著高頻化帶來(lái)的損耗。軟接近開(kāi)關(guān)方式包括零電流接近開(kāi)關(guān)方式、零電壓接近開(kāi)關(guān)方式及兩者兼用的方式。作為實(shí)現(xiàn)這種軟接近開(kāi)關(guān)方式的手段，有諧振型接近開(kāi)關(guān)技術(shù)和部分諧振型接近開(kāi)關(guān)技術(shù)，后者易于實(shí)現(xiàn)。
